전자회로설계 - 전원, DMM의 내부저항 측정장치 설계
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작성일 23-01-24 02:44
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전자회로설계 - 전원, DMM의 내부저항 측정장치 설계
5) KVL (키르히호프 전압법칙)
회로내의 어떠한 폐회로에 상대하여 이 폐회로를 한바퀴 도는 방향을 가정했을 때 각 소자에서의 전압상승과 전압강하의 합은 영이다. 이 측정(測定) 값들을 라는 식에 대입하면 건전지의 내부저항은 0.746Ω이 나온다. 옴의 법칙 V=IR에 의해서 전류가 상승하면 전압도 약간 상승 할 것이다.
6) KCL (키르히호프 전류법칙)
3) 0.004V에서 0.006V 사이로 값이 불규칙하게 계속 변하게 된다.( 스위치는 저항에 과 전류가 흐르는 것을 방지하기 위함)
전원, DMM의 내부저항 측정장치 설계
② 식 를 이용하면 건전지에 걸리는 내부 저항 Ra를 구할 수 있다아 이때 는 DMM로 얻을 수 있는 값이다. 생각보다 큰 값이었지만 보통 실습 중에 사용하는 저항들 단위가 ㏀이므로 무시해도 된다. 저항 여러 개 조합하여 붙여 놓고 IC chip형태로 만든 저항 네트워크도 많이 쓰임.
설명
건전지 내부저항을 측정하는 장치와 DMM의 내부저항을 측정하는 장치를 설계, 제작,측정하고 전압안정 직류전원의 동작원리를 이해한다. 그 이유는 DMM으로 A,B 채널의 +단자를 연결하면 기준이 되는 단자가 없기 때문에 값이 계속 변하는 랜덤 값이 나온다. 요즘 소형 전지전자 제품의 제작에는 후막저항이 많이 사용되며 이는 chip저항이라고도 불린다.
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측정(測定) 값은 load가 없을 때 ,전압 5.94V , 10Ω의 저항에 걸리는 전압 5.54V , 저항의 측정(測定) 값은 10.34Ω 이었다.
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4) 가변 저항은 단자가 3개 있고 저항을 조절할 수 있는 나사 또는 회전축이 붙어 있음.
1. 제목 전원, DMM의 내부저항 측정장치 설계 2. 목표 건전지 내부저항을 측정하는 장치와 DMM의 내부저항을 측정하는 장치를 설계, 제작,측정하고 전압안정 직류전원의 동작원리를 이해한다.
①위의 회로의 스위치를 닫은 후 걸리는 전압을 DMM으로 측정(測定) 한다. 더불어 전압도 약간 상승할 것이다.
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어떤 면적이나 시스템, 전선의 분기점으로 들어오는 전류의 합은 나가는 전류의 합과 같다.
2) 전류가 약간 상승할 것이다.
2. 목표
b) 잘 되어서 결과 값이 잘 나왔다.
다.